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烧结温度对高频瓷陷阱分布的影响

编辑:宜兴市凯宏陶瓷有限公司  时间:2017-07-12

  烧结温度对高频瓷各类试品 TSC 特性和陷阱分布的影响如下:烧结温度对各类试品的TSC峰值以及陷阱电荷量也有显著的影响。除C类试品外,其它类试品呈现出随着烧结温度提高,TSC 峰值增大及陷阱电荷量增加这一趋势,对于配方 A、B、C 的试品,随着烧结温度的提高,它们仍然保持一个TSC峰。总体而言,它们的 TSC 主峰的位置朝高温区偏移,陷阱能级也有变深的趋势,对于配方D在三个烧结温度下的三类试品,它们TSC峰的数量出现了变化,计算结果表明,除了主峰陷阱外,还有浅陷阱能级出现。它们的主峰的位置几乎没有变化。

  微观结构可以影响到陶瓷的陷阱分布。烧结过程是形成陶瓷材料微观结构极其重要的一个环节。它是陶瓷生坯在高温下的致密化过程和现象的总称。陶瓷生坯随 着温度的上升和时间的延长,粉体颗粒相互键连,晶粒长大,孔隙(气孔)和晶界逐渐减少,并且通过物质的传递,总体积收缩,密度增加,最后成为致密、坚硬的具有某种微观结构的多晶烧结体,这种现象称为烧结。在烧结过程中,主要发生晶粒尺寸及其形状的变化、气孔尺寸及其形状的变化,烧结完成后,在宏观上的变化是:体积收缩,致密度提高,强度增加。

  在较高的温度下,高频瓷物质的传递过程也将加快,气孔的消失过程当然也会加快,不过发展便不一定平衡(并不是刚好等到气孔消失,晶界才移开,而往往是快速移动的 晶界没等气孔消失就已离开),有可能将气孔包裹在晶粒之中。一般的,如果烧结 温度较低,则通常需要较长的保温时间;如果烧结温度较高,则保温时间就可以减 少。保温时间的过短或过长都会影响晶粒的正常生长。




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